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3月10日,《先進(jìn)材料》(Advanced Materials,影響因子17.493,DOI:10.1002/adma.201506352)在線刊發(fā)了華中科技大學(xué)脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)科學(xué)中心“青年千人”吳燕慶教授團(tuán)隊(duì)題為“寬頻譜與高光電響應(yīng)度的黑磷光電探測(cè)器”(Broadband Black-Phosphorus Photodetectors with High Responsivity)的論文。
黑磷(Black Phosphorus)是一種近年來被發(fā)現(xiàn)的二維半導(dǎo)體材料,這種材料具有較窄的直接帶隙和很高的載流子遷移率,因而非常適合于未來電子器件與光電器件。該論文用微納加工法制備了一個(gè)陣列的黑磷場(chǎng)效應(yīng)管光電探測(cè)器,這些器件具有不同的有效溝道長(zhǎng)度,最短達(dá)到100nm。研究揭示了黑磷光電探測(cè)器的光響應(yīng)度與其溝道長(zhǎng)度的平方成反比例關(guān)系,其中100nm溝長(zhǎng)的探測(cè)器在室溫下表現(xiàn)出非常高的光電響應(yīng)度。對(duì)633nm波長(zhǎng)的入射激光,其光響應(yīng)度達(dá)4.3 × 106 A/W,這是目前世界上黑磷基光電探測(cè)器的最高響應(yīng)值,也居于所有二維材料同類器件前列;與其他同類器件相比,該探測(cè)器能在較寬波長(zhǎng)范圍維持高響應(yīng)度,如對(duì)于900nm的近紅外光,響應(yīng)度也在103A/W以上。同時(shí),該團(tuán)隊(duì)首次對(duì)黑磷光電探測(cè)器進(jìn)行了低溫探測(cè),并對(duì)其響應(yīng)度和光電效率相較于常溫的大幅提升作了系統(tǒng)的機(jī)理分析。該論文的第一作者為物理學(xué)院2013級(jí)博士生黃明強(qiáng)。
此外,今年2月14日,英國(guó)皇家化學(xué)學(xué)會(huì)旗下學(xué)術(shù)期刊Nanoscale(DOI: 10.1039/C5NR06647F)在線刊發(fā)了吳燕慶團(tuán)隊(duì)的另一篇論文《雙極性黑磷晶體管的噪聲機(jī)理研究》(Mechanisms of current fluctuation in ambipolar black phosphorus field-effect transistors)。通過噪聲測(cè)試手段在不同溫度下對(duì)雙極性黑磷晶體管的電學(xué)輸運(yùn)和噪聲機(jī)理進(jìn)行了研究。結(jié)果表明黑磷晶體管表現(xiàn)出雙極性輸運(yùn)特性,其p型黑磷晶體管的噪聲機(jī)制為載流子濃度,而n型黑磷晶體管的噪聲機(jī)制是遷移率漲落。該結(jié)果對(duì)層狀黑磷半導(dǎo)體的進(jìn)一步開發(fā)和應(yīng)用具有重要的理論和實(shí)際意義。